蝕刻液中陰離子的測(cè)定

在集成電路制造過(guò)程中，常需要在晶圓上定義出極細(xì)微尺寸的圖案，這些圖案主要的形成方式是藉由蝕刻技術(shù)，將微影后產(chǎn)生的光阻圖案忠實(shí)的轉(zhuǎn)印至光阻下的材質(zhì)上，以形成集成電路的復(fù)雜架構(gòu)。因此蝕刻技術(shù)在半導(dǎo)體制造過(guò)程中占有極重要的地位。蝕刻技術(shù)大略可分為濕式蝕刻和干式蝕刻兩種技術(shù)。濕式蝕刻是利用特定的化學(xué)溶液將待蝕刻薄膜未被光阻覆蓋的部分分解，并轉(zhuǎn)成可溶于此溶液的化合物后加以排除，從而達(dá)到蝕刻的目的。大部分的蝕刻過(guò)程包含一個(gè)或多個(gè)化學(xué)反應(yīng)，常見(jiàn)的是先將待蝕刻層表面予以氧化，再將此氧化層溶解，如此反復(fù)達(dá)到蝕刻的效果，因此蝕刻液大多由一種或多種酸溶液混合而成。離子色譜可檢測(cè)蝕刻液中的酸根離子，亦可檢測(cè)經(jīng)蝕刻后的電路板上酸根的殘留量。

色譜條件

分析柱：SH-AG-1+SH-AC-11

流動(dòng)相：13 mM KOH（EG）

流速：1.0 mL/min

柱溫：35℃

抑制器：SHY-A-6

進(jìn)樣體積：25 μL

前處理：樣品稀釋適當(dāng)倍數(shù)過(guò) Na 柱和 0.22 μm 濾膜，進(jìn)樣分析。

蝕刻液中陰離子譜圖